zur direkten (nicht rasternden) Abbildung von Oberflächen durch Anregung mit langsamen Elektronen (LEEM), UV-Licht (PEEM) und metastabilen He-Atomen (MIEEM)
zur direkten (nicht rasternden) Abbildung von Oberflächen durch Anregung mit Femtosekunden-Laserpulsen (Ein-Photonen- und Zwei-Photonen-Photoelektronen- Emissionsmikroskopie: PEEM)
Rasterkraftmikroskopie
(Digital Instruments Modell Dimension 3100) mit der Möglichkeit der Tunnelstrom-Rasterkraftmikroskopie
Optisch-parametrischer Verstärker für Femtosekundenpulse (Abstimmbereich 470-2600 nm, 1000 Hz, 150 µJ @ 710 nm, ~100 fs, Modell Light Conversion Topas)
Pikosekunden-Lasersystem
Pikosekunden-Nd:YAG-Lasersystem (1,064 µm, 500 Hz, 9 mJ, 25 ps, Oszillator: Lightwave Electronics, Verstärker: Eigenbau mit diodenlasergepumpten Nd:YAG-Verstärkerköpfen vom ILT Aachen)
Optisch-parametrischer Verstärker für Pikosekunden-Infrarot-Pulse(Abstimmbereich 1,2-8,3 µm, 500 Hz, 50 µJ @ 5 µm, 25 ps, Eigenbau mit BBO- und AgGaS2-Kristallen)
Rastertunnelmikroskop
(Molecular Imaging Modell Picoscan 2100), Mikroskopie von Elektrodenoberflächen unter elektrochemischen Bedingungen mit Potentialkontrolle (Scanbereich 2µm x 2µm lateral und 0,7µm vertikal; Tunnelströme von 1pA-100nA)